半导体测试仪 半导体的检测设备 规格参数

电力场效应管又名电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型，通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称电力MOSFET（Power MOSFET），结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。
晶体管仪电路图简单晶体管仪可以判断出晶体管的类型，并且能帮助检测出晶体管的**、集电和基。其方法是检查被测晶体管三个端子T1、T2和T3之间流过的各种可能电流方向的组合。

当一只正常晶体管插在端子之间时，它限制电流只能沿某些方向流动。串联的LED表示出这些方向，因此指示出了晶体管的类型。例如，对NPN晶体管，LED发光为红-绿-红;而对PNP晶体管，发光为绿-红-绿。

晶体管仪电路图时基电路NE555、R1、R2、C2等组成振荡频率约16KHZ的自激振荡器，其输出信号通过三管VT1放大后驱动升压变压器T，在T次级输出感应脉动电压。此电压经VD1整流、C5滤波，在a点**1.8KV左右的用直流高压电源。VT2、R7（或R8）、R3、C4等组成保护电路，当被测管穿透电流大于一定值（大功率管0.7mA，小功率管70μA）时，三管VT2饱合导通，NE555因*④脚为低电位而停振，a点电压降低，被测管的穿透电流下降，然后，NE555再次起振，a点电压上升，这种负反馈的作用结果使XA、XB两点间的电压稳定在被测管的耐压值上。时，将被测管按性接于XA、XB之间，测小功率管时，转换开关S拨向1端，测大功率管时S拨向2端，按动按钮SB，由外接的电压表PV直接读出被测管的耐压值。电阻R5用于泄放C5的残留高压，以防者遭电击。二管VD2用于抵消VT2基电位，使电压表读数较接近于被测管的耐压值。

晶体管仪电路图可以使用如下所示的电子计划的一个双晶体管仪。使用这种电子电路，我们可以排序晶体管，取决于类放大（电流增益140-270之间），B（270-500）或C（小于500）。对于正确的NPN晶体管是必要的，晶体管插入插座补习（根据晶体管），并打开开关S2的位置C.如果LED不轻的移动交换机S2在位置B，而如果不轻，甚至在这个位置上，将一个位置上的开关S2。
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