晶闸管可控硅BTA06-600C 型号齐全

可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种，螺旋式的应用较多。可控硅有三个电---阳（A）阴（C）和控制（G）。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结。可控硅和只有一个PN结的硅整流二度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制的引用，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。在应用可控硅时，只要在控制加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳电流或电压。电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。

测量方法
鉴别可控硅三个的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个之间的电阻值就可以。
阳与阴之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳和控制之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳和控制正反向都不通） [1] 。
控制与阴之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制二管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制反向电阻比较小，并不能说明控制特性不好。另外，在测量控制正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制反向击穿。
若测得元件阴阳正反向已短路，或阳与控制短路，或控制与阴反向短路，或控制与阴断路，说明元件已损坏。
可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。
普通晶闸管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二管整流电路属于不可控整流电路。如果把二管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路。以简单的单相半波可控整流电路为例，在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。画出它的波形（c）及（d），只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出。Ug到来得早，晶闸管导通的时间就早；Ug到来得晚，晶闸管导通的时间就晚。通过改变控制上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。
1：小功率塑封双向可控硅通常用作声光控灯光系统。额定电流：IA小于2A。
2：大；率塑封和铁封可控硅通常用作功率型可控调压电路。像可调压输出直流电源等等。
3：大功率高频可控硅通常用作工业中；高频熔炼炉等。
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制G决定。在控制G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。
特性：
常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等。
可控硅的主要参数有：
1、 额定通态平均电流IT 在一定条件下，阳---阴间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。
2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制开路未加触发信号，阳正向电压还未**过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能**过手册给出的这个参数值。
3、 反向阻断峰值电压VPR 当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能**过手册给出的这个参数值。
4、 触发电压VGT 在规定的环境温度下，阳---阴间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的小控制电流和电压。
5、 维持电流IH 在规定温度下，控制断路，维持可控硅导通所必需的小阳正向电流。许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。
可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。
　　双向晶闸管的电引线不规则，通常G是在T1侧引出而不是T2侧。双向晶闸管的两个主电T1和T2还是有区别的，双向晶闸管的触发通常是相对与T1与G之间的电流。
可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整流，还可以用作无触点开关的快速接通或切断；实现将直流电变成交流电的逆变；将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样，有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。
可控硅调光电源的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。目前可控硅在自动控制、机电应用、工业电气及家电等方面都有广泛的应用。
电压测方法
可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。
首先，可以把从阴向上数的、二、三层看面是一只NPN型号晶体管，而二、三四层组成另一只PNP型晶体管。其中第二、*三层为两管交迭共用。当在阳和阴之间加上一个正向电压Ea，又在控制G和阴C之间（相当BG1的基一射间）输入一个正的触发信号，BG1将产生基电流Ib1，经放大，BG1将有一个放大了β1倍的集电电流IC1。因为BG1集电与BG2基相连，IC1又是BG2的基电流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集电电流IC2送回BG1的基放大。如此循环放大，直到BG1、BG2完全导通。实际这一过程是“一触即发”的过程，对可控硅来说，触发信号加入控制，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。
可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG1基的电流已不只是初始的Ib1，而是经过BG1、BG2放大后的电流（β1β2Ib1）这一电流远大于Ib1，足以保持BG1的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态只有断开电源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集电电流小于维持导通的小值时，可控硅方可关断。当然，如果Ea性反接，BG1、BG2由于受到反向电压作用将处于截止状态。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来，Ea接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。另外，如果不加触发信号，而正向阳电压大到**过一定值时，可控硅也会导通，但已属于非正常工作情况了。
可控硅这种通过触发信号（小的触发电流）来控制导通（可控硅中通过大电流）的可控特性，正是它区别于普通硅整流二管的重要特征。
普通可控硅的三个电可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。大家知道，晶闸管G、K之间是一个PN结（a），相当于一个二管，G为正、K为负，所以，按照测试二管的方法，找出三个中的两个，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表黑表笔接的是控制G，可以用刚才演示用的示教板电路。接通电源开关S，按一下按钮开关SB，灯泡发光就是好的，不发光就是坏的。

可控硅调压器：是一种以可控硅（电力电子功率器件）为基础，以**控制电路为**的电源功率控制电器。简称晶闸管调功器。又称晶闸管调功器，晶闸管调压器，晶闸管调整器，可控硅调功器，可控硅调整器，电力调整器，电力调功器，具有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快、体积小、重量轻等诸多优点。

三相晶闸可控硅调压器是移相触发型的晶闸管电力控制器。触发板具有过流、缺相、相序、晶闸管过热等多种保护功能；可广泛应用于工业各领域的电压、电流、功率的调节，适用于电阻性负载、电感性负载、变压器一次侧等，主要应用如下：
◇ 以镍铬、铁铬铝、远红外发热元件及硅钼棒、硅碳棒等为加热元件的温度控制。
◇ 盐浴炉、工频感应炉、淬火炉、熔融玻璃的温度控制。
◇ 整流电镀，整流变压器、电炉变压器一次侧控制。
◇ 真空镀膜设备等
◇ 三相力矩电动机的速度控制，普通电动机软起动，直流电机调速等。
◇ 电压、电流、功率、灯光等无级平滑调节。
◇ 恒压、恒流、恒功率控制。
制做工艺及质量保证：控制器的元器件全部采用波峰焊（非人工焊接）；控制板焊接完成后进行初调；初调合格后进行为期一周的通电升温动态老化试验；后进行全面检测。

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