PN8161ic控制器

谷底开通
PN8161是一款工作于准谐振模式的集成芯片，通过DMG检测到的消磁信号实现精确谷底开
通，以提高系统的转换效率。在PWM模式，由**谷底产生开启信号，工作频率由系统设计的变压器参数决定，较高工作频率限制在125kHz。
PN8161产品特征：
■ 内置650V高雪崩能力的功率MOSFET
■ 准谐振工作
■ 较高开关频率125kHz
■ 外围精简，*启动电阻及CS检测电阻
■ 高低压脚位两侧排列提高安全性
■ 内置高压启动，空载待机功耗<50mW @230VAC
■ 改善EMI的频率调制技术
■ 供电电压8-40V，适合宽输出电压应用
■ 优异全面的保护功能
? 过温保护 (OTP)
? 输出过压保护
? 逐周期过流保护 (OCP)
? 输出开/短路保护
? 次级整流管短路保护
? 过负载保护（OLP）

降频工作模式
PN8161提供降频工作模式，通过检测FB脚电压，在轻载和空载条件下降低开关频率以提高轻载效率。当FB脚电压小于 V FB_PFM ，芯片进入降频工作模式，开关频率随负载降低而降低，直至较小频率25kHz。
PN8161高性能准谐振交直流转换芯片内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能，下面跟随芯朋微一级代理骊微电子小编一起来看看。

软启动
启动阶段，漏较的较大峰值电流限制逐步的提高；可以大大减小器件的应力，防止变压器饱和。软启动时间典型值为3.2ms。
PN8161应用领域：
■ 充电器
■ 适配器
■ 开放式开关电源
PN8161功能描述:
启动：
在启动阶段，内部高压启动管提供1mA电流对外部V DD 电容进行充电。当V DD 电压达到 VDDon ，芯片开始工作；高压启动管停止对V DD 电容充电。启动过程结束后，变压器辅助绕组对V DD 电容提供能量。
间歇工作模式
较轻载时，PN8161进入间隙工作模式以减小待机功耗。当负载减轻，反馈电压减小；当FB脚电压小于 V FB_BM ，芯片进入间歇工作模式，功率管关断。当FB脚**过 V FB_BM +V FB_BM_HYS 时，开关管再次导通。
过温保护
功率MOSFET和控制芯片集成在一起，使得控制电路较易于检测MOSFET的温度。当温度**
145℃，芯片进入过温保护状态。

PN8161通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了**低的待机功耗、全电压范围下的较佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现，骊微电子代理的PN8161广泛被应用于充电器、适配器、开放式开关电源等领域。

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