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蒸发镀膜
通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为蒸发镀膜。这种方法较早由M.法拉*于1857年提出，现代已成为常用镀膜技术之一。
蒸发物质如金属、化合物等置于坩埚内或挂在热丝上作为蒸发源，待镀工件，如金属、陶瓷、塑料等基片置于坩埚前方。待系统抽**真空后，加热坩埚使其中的物质蒸发。蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面。薄膜厚度可由数百埃至数微米。膜厚决定于蒸发源的蒸发速率和时间（或决定于装料量），并与源和基片的距离有关。对于大面积镀膜，常采用旋转基片或多蒸发源的方式以**膜层厚度的均匀性。从蒸发源到基片的距离应小于蒸气分子在残余气体中的平均自由程，以免蒸气分子与残气分子碰撞引起化学作用。蒸气分子平均动能约为0.1～0.2电子伏。
蒸发源有三种类型。①电阻加热源：用难熔金属如钨、钽制成舟箔或丝状,通以电流,加热在它上方的或置于坩埚中的蒸发物质
电阻加热源主要用于蒸发Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料；②高频感应加热源：用高频感应电流加热坩埚和蒸发物质；③电子束加热源：适用于蒸发温度较高（不**2000[618-1]）的材料，即用电子束轰击材料使其蒸发。
蒸发镀膜与其他真空镀膜方法相比，具有较高的沉积速率，可镀制单质和不易热分解的化合物膜。
为沉积高纯单晶膜层，可采用分子束外延方法。
喷射炉中装有分子束源，在**高真空下当它被加热到一定温度时，炉中元素以束状分子流射向基片。基片被加热到一定温度，沉积在基片上的分子可以徙动，按基片晶格次序生长结晶用分子束外延法可获得所需化学计量比的高纯化合物单晶膜，薄膜较慢生长速度可控制在1单层/秒。通过控制挡板,可**地做出所需成分和结构的单晶薄膜。分子束外延法广泛用于制造各种光集成器件和各种**晶格结构薄膜。
带钢真空镀膜生产线的技术动向
尽管钢带真空镀膜是一项**，但经过几十年的研究开发，现在已经相当成熟，具有明确的工业化应用前景。美国是较先将真空镀膜技术运用在带钢表面处理上的地区，早在20世纪60年代初就建成了四条生产线，而后日本、前苏联、德国、比利时等地区也先后建成多条生产线。目前，**上年产量达到5千吨规模以上产量的生产线有十多条。我国也在80年代末从原东德引进了一条真空镀膜生产线。
现有带钢真空镀膜生产线有以下几种：
(1)分离型。生产线不包括钢带清洗前的处理，它将一卷经过清洗前处理的钢带，放进一个装有开卷、预热、镀膜及收卷设备的密闭真空容器中，抽到一定真空度后进行预热，然后进行镀膜操作。该设备结构简单，但生产效率较低，处理后的钢带*受到二次污染。
(2)“空到空”全连续型。所谓“空到空”(Air-to-Air)，指的是带钢**在大气中经过清洁处理，然后进入真空室，进行镀膜，再经增压室回到大气的连续式生产过程。该生产线包括了钢带清洁前处理和缓冷、退火后处理等机组，并有活套装置以及压差室。
设备结构和控制系统较复杂，投资较大，但生产**，*达到规模产量，真正实现了从原料带卷到镀膜钢带成品带卷的真空连续生产。我国从国外引进的生产线就是属于这种类型，其电子枪功率为300kW，可加工带钢产品为带宽300mm，厚0.2～0.8mm，镀层2～8微m，带卷外径为1m，卷重1吨，镀膜材料为：铝、铜、钛、镍、锌、铬等，带钢较大行走速度每分钟120m，年产量10000吨以上。
(3)**型。这是目前比较新型的生产线。它的特点是将钢带清洁前处理，热浸镀，电子束蒸发镀三种工艺串在一起，形成*连续式生产线，使湿法、干法两种镀膜工艺相互搭配兼容，生产经济、**的镀膜钢带。

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