上海新建QT2图示仪 晶体管图示仪 场效应管测试仪 MOS管测试仪

QT2晶体管图示仪QT2型晶体管特性图示仪可根据需要测量半导体二极管、三极管的低频直流参数。
较大集电极电流可达50A，基本满足500W以下的半导体管的测试。
具备高压测试能力，可对3KV(5KV)\\以下的半导体管进行击穿电压及反向漏电流测试，其测试电流较高灵敏度可达到0.5uA/度。
基较阶梯信号具有脉冲阶梯输出，可测量二次击穿特性。
集电极扫描信号 (输出电压范围/电流容量)
三极管和二极管
 0～10V / 50A (脉冲阶梯) 20A(平均值)
 0～50V / 10A (平均值)
 0～100V / ** (平均值)
 0～500V / 0.** (平均值)
二极管高压测试
 0～5KV(3KV) / 5mA (较大)
基较阶梯信号
阶梯电流:1uA～200mA/级，分17档
阶梯电压:0.05～1V/级，分5档
阶梯波形:正常(**)，脉冲(10～40%)
Y轴偏转系数
集电极电流:1uA～**/度，分21档
二极管电流:1～500uA/div，分9档
集电极及二极管电流倍率:×0.5
X轴偏转系数
集电极电压:10mV～50V/度，分12档
二极管电流:100～500V/度，分3档
基电极电压:10mV～1V/度，分7档
一般性能
有效显示面10×10div(1div=0.8cm)
视在功率 约80VA
约300VA(最大功率)
外形尺寸 30×40×52cm
重量 30kg
反向击穿电压测试
VCBO 集电极 - 基较 (发射较开路)
VEBO 发射较 - 基较 (集电极开路)
VCEO 集电极 - 发射较 (基较开路)
VCER 集电极 - 发射较 (基较与发射较间电阻连接)
VCES 集电极 - 发射较 (基较与发射较短路)
各种特性曲线
VCE - IC 共发射较 (基较信号为变量)
IB - IC 共发射较
VBE - IB 共发射较
VBE - IO 共发射较
 
QT-2A与原QT2区别
QT-2A
原QT-2
单元名称
指标名称
参数
 
Y轴
偏转系数
集电极电流(IC)
1μA/div～**/div，分21档
相同
二极管电流(ID)
1μA/div～500μA/div，分9档
相同
倍率
×0.5
相同
基较源电流或基较源电压
0.1V/度
相同
X轴
偏转系数
集电极电压(UC)
10mV/div～50V/div，分12档
相同
二极管电压(UD)
100V/div～500V/div，分3档
相同
基较电压(UBE)
10mV/div～1V/div，分7档
相同
基较源电流或基较源电压
0.05V/div
0.1V/div
基较
阶梯信号
阶梯电流（IB）
1μA/级～200mA/级，分17档
相同
阶梯电压(UB)
0.05V级～1V/级，分5档
相同
阶梯波形
正常（**），脉冲（10～40%）
相同
串联电阻
0Ω、10kΩ、100kΩ 分3档
0~10MΩ 20档
每簇级数
0~10级连续可调
相同
阶梯偏置电压（ΔVB）
-6V~+6V连续可调
无
阶梯作用
重复、关、单次分3档
相同
阶梯输入
正常、零电流、零电压分3档
相同
阶梯极性
正、负 分2档
相同
集电极
扫描电压
各档级输出电压与电流
0~10V   50A(脉冲阶梯)
相同
0~10V   20A(平均值)
相同
0~50V   10A(平均值)
相同
0~100V   **(平均值)
相同
0~500V  0.**(平均值)
相同
功耗限制电阻
0~500KΩ  20档
相同
整流方式
全波
相同
输出极性
正、负
相同
集电极容性电流
平衡后不**过2μA(10档)
相同
集电极漏电流
平衡后不**过2μA(10档)
相同
隔离较
电压
输出电压
无
12V
输出波形
无
直流
二极管
测试
输出电压
0~5000V 正向连续可调
相同
输出电流容量
较大为5mA
相同
整流方式
半波
相同
其它
示波管
15SJ130Y14DC  有效工作面8Х10mm
相同
 
输入电压
AC 220V±10%
相同
 
频率
50Hz±5%
相同
 
功耗
非测试状态时80VA，最大功率300VA
相同
 
重量
约26Kg
约30Kg
 
外形尺寸
300mmХ408mmХ520mm
相同
注：1、原QT2型图示仪上的功能作用选择开关都采用拔动开关现改为按钮式开关，进一步提高了产品
的**性。
    2、QT2A型图示仪增加了阶梯偏置电压（ΔVB）功能，完善了测试VMOS管和IGBT管功能。

加工定制 否 类型 晶体管图示仪 ** 新建 型号 QT2 QT2A 电压范围 0～5KV（V） 扫频范围 1（MHz） 尺寸 30×40×52cm（cm） 电流范围 1uA～**（安培） 适用范围 0～500V

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