" 4N65T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。**的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。 ? 4A,650V,RDS(on)=2.3Ω@VGS=10V ? 低栅较电荷量 ? 低反向传输电容 ? 开关速度快 ? 提升了dv/dt 能力 其它规格:1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60 730 830 840 "