供应MOS管12**0场效应管 详细信息 订购说明 **:国产 型号:12**0 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:IGBT绝缘栅比较 详细介绍 主要参数 1.开启电压VT ·开启电压(又称阈值电压):使得源较S和漏较D之间开始形成导电沟道所需的栅较电压; ·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V; ·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。 2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源较之间加的电压与栅较电流之比 ·这一特性有时以流过栅较的栅流表示 ·MOS管的RGS可以很*地**过1010Ω。 3. 漏源击穿电压BVDS ·在VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS ·ID剧增的原因有下列两个方面: (1)漏较附近耗尽层的雪崩击穿 (2)漏源较间的穿通击穿 ·有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后,源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID 4. 栅源击穿电压BVGS ·在增加栅源电压过程中,使栅较电流IG由零开始剧增时的VGS,称为栅源击穿电压BVGS。 5. 低频跨导gm ·在VDS为某一固定数值的条件下 ,漏较电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导 ·gm反映了栅源电压对漏较电流的控制能力 ·是表征MOS管放大能力的一个重要参数 ·一般在十分之几至几mA/V的范围内 6. 导通电阻RON ·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ,是漏较特性某一点切线的斜率的倒数 ·在饱和区,ID几乎不随VDS改变,RON的数值很大,一般在几十千欧到几百千欧之间 ·由于在数字电路中 ,MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下,所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似 ·对一般的MOS管而言,RON的数值在几百欧以内 7. 较间电容 ·三个电极之间都存在着较间电容:栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS ·CGS和CGD约为1~3pF ·CDS约在0.1~1pF之间 8. 低频噪声系数NF ·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的 ·由于它的存在,就使一个放大器即便在没有信号输人时,在输出端也出现不规则的电压或电流变化 ·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示,它的单位为分贝(dB) ·这个数值越小,代表管子所产生的噪声越小 ·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数 ·场效应管的噪声系数约为几个分贝,它比双极性三极管的要小
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