青海氮化镓芯片开发 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院供应

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供异质异构集成技术服务，可进行以下**集成材料制备和研发：1)单晶AlN、LiNbO3压电薄膜异质晶圆，用于SAW、BAW、XBAR等高性能射频滤波器；2)厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3异质晶圆，用于低损耗光学平台；3)AlGaAs-on-insulator，绝缘体上AlGaAs晶圆，用于光**器件等新一代片上光源平台；4)Miro-Cavity-SOI，内嵌微腔的绝缘体上Si晶圆，用于环栅GAA，MEMS等器件平台；5)SionSiC/Diamond，解决传统Si衬底功率器件散热低的瓶颈；6)GaNonSiC，解决自支撑GaN衬底高性能器件散热低的瓶颈；7)支持特定衬底功能薄膜材料异质晶圆定制研发。芯谷高频研究院的太赫兹测试能力，能够实现高达500GHz的电路功率测试和噪声测试。青海氮化镓芯片开发

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司可提供创新的大功率氮化镓微波毫米波/太赫兹产品开发服务，这些产品具备优良的特性，包括耐功率和高速性能，能大幅提高整流功率和效率。公司专注于高频器件领域的研发与创新，致力于提供可靠、高效的解决方案，为客户带来良好的体验。研究院的研发团队经验丰富，技术造诣深厚，能够深入理解客户的需求，并根据需求量身定制解决方案，为客户提供**的氮化镓微波毫米波/太赫兹产品。随着无线通信和雷达技术的迅猛发展，大功率氮化镓微波毫米波/太赫兹产品在各个领域都得到应用。公司致力于推动这一领域的创新与发展，以满足客户不断变化的需求。公司提供的产品具备创新性、高性能，能够用于通信、航空**、医疗等领域，为客户带来更多商业**。公司深知客户的需求是公司的动力，公司会持续研发创新产品，提供技术咨询、解决方案和全程技术支持，以满足客户的需求。陕西异质异构集成芯片工艺定制开发芯片作为科技创新的关键要素，正带领着**科技产业迈向新的高峰，展现出无限的发展潜力和前景。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司作为一家新型研发机构，旨在推动高频器件产业的发展，研究院具有良好的孵化能力。研究院以其较强的技术实力和丰富的行业经验，为上下游企业提供支持和协助。通过技术研发和技术转移，研究院能够帮助企业实现技术创新和产业升级，从而实现较好的发展和壮大。无论是从产品设计与研发，还是从生产与制造，乃至于市场与营销，研究院都可以与企业保持紧密合作。研究院拥有**的研发设备和仪器，拥有专业的技术人才，能够解决各种复杂的技术问题。同时，研究院还积极与高校和科研机构合作，进行技术交流与合作。通过产学研相结合的方式，共同探索高频器件产业技术的*，为企业提供更多的创新动力和发展空间。未来，研究院将继续致力于技术创新，为高频器件产业的持续发展注入新的活力和动力，助力企业实现跨越式发展，走向较加广阔的未来。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司的公共技术服务平台的聚焦离子束电镜系统，以其高分辨率能力，专业捕捉微观层面的差异与变化。这台**的仪器帮助研发人员深入探索材料表面特征和内部结构，从而准确找出问题根源。通过这一系统，研发人员能够详细了解试验品的剖面层次，同时利用元素成分分析功能，较精确地掌握各种元素的分布，对材料的本质有较深入的认识。聚焦离子束电镜系统的这些功能，为科研工作提供了*的数据支持，帮助研发人员较好地理解试验品，从而制定有效的解决方案。芯谷高频研究院提供定制化GaAs/InP SBD太赫兹集成电路芯片技术开发服务，该芯片电路工作频段达到1.5THz。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司致力于为客户提供太赫兹放大器系列芯片技术开发服务。公司*的太赫兹半导体固态器件及单片集成电路，频率覆盖范围包括140GHz、220GHz、300GHz和340GHz等。公司的产品齐全，涵盖了驱放、功放、低噪放等多种类型，并可为客户提供全套的太赫兹芯片解决方案。这些太赫兹芯片在太赫兹安检、无损探测、太赫兹高速通信系统等多个领域有着应用，为安全检测和无损检测提供了强有力的支持。作为太赫兹领域的专业研发机构，公司将持续投入研发力量，推动技术创新，为客户提供较好的产品和服务。坚信通过不懈的努力，公司能为太赫兹领域的发展做出积极贡献，推动相关技术的进步和应用拓展。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台可以提供微组装服务。吉林石墨烯器件及电路芯片流片

芯谷高频研究院可进行Si、GaAs、InP、SiC、GaN、石墨烯以及碳纳米管等半导体器件的工艺流片。青海氮化镓芯片开发

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司致力于为客户提供专业的异质集成工艺服务。在晶圆键合方面，提供6英寸及以下的**高真空键合、表面活化键合、聚合物键合、热压键合、共晶键合等多种类型的晶圆及非标准片键合服务，确保晶圆间的紧密结合。在衬底减薄方面，提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等多种材料的衬底减薄服务，以满足不同应用场景的需求。在表面平坦化方面，提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等多种材料的表面亚纳米级精细抛光服务，确保材料表面的平滑度和精度。公司的多种异质集成技术服务，包括**高真空键合、衬底减薄和表面平坦化等，均基于**的技术和设备，旨在满足客户的各种不同需求。公司凭借丰富的经验和技术实力，为客户提供定制化的解决方案，助力客户在异质集成工艺领域****成果。青海氮化镓芯片开发

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院成立于2018年5月24日，研究院依托固态微波器件与电路全国重点实验室（南京）、中国电科五十五所，聚焦高频电子器件领域，围绕太赫兹技术、微波毫米波芯片、光电集成芯片、异质异构集成芯片、碳电子器件五大研究方向开展产业共性关键技术研发、科技成果集成、技术转移转化、技术服务、产业发展战略研究、高科技企业孵化，建成**的高频器件产业孵化平台，推进高频器件产业化进程。