肖特基二极管(Schottky Diode),也称为肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),是一种半导体器件,由德国物理学家沃尔特·肖特基(Walter H. Schottky)于20世纪初发明。它是一种特殊的二极管,由金属与半导体材料接触而成,具有低电压降和快速开关速度等特点。
肖特基二极管的快速开关特性使其在应用中有用。它具有较快的恢复时间和较低的开关损耗,适用于高速开关电路和功率转换器等应用。此外,肖特基二极管还具有较高的温度稳定性和较低的反向恢复电荷。
肖特基二极管广泛应用于电源管理、通信设备、功率电子、太阳能电池等领域。它们可以用于整流、反向保护、电压调节、开关和混频等应用。根据具体需求,肖特基二极管有不同的封装形式和额定参数可供选择。
肖特基二极管的主要特点是具有低的正向压降和快速的开关特性。它由金属(通常是铝或钨)与半导体材料(通常是硅或碳化硅)的结合构成。金属与半导体之间形成了一个肖特基势垒,使得肖特基二极管具有较低的正向压降(约0.2V至0.5V),相比于普通的整流二极管较低。
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