• 10us方波浪涌电流测试仪

    10us方波浪涌电流测试仪

  • 2024-03-12 10:09 16
  • 产品价格:面议
  • 发货地址:广东省深圳市宝安区包装说明:不限
  • 产品数量:不限产品规格:不限
  • 信息编号:116030865公司编号:4239999
  • 陈少龙 经理
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    产品描述
    华科智源-二极管浪涌电流是指电源线接通瞬间或是在电路出现异常情况下产生的远大于稳态电流的峰值电流或过载电流。
    
    半导体器件在工作时,有时要承受较大的冲击电流,器件的用途不同,要求器件能承受浪涌电流的能力也不同,为了检测器件承受浪涌电流的能力,可产生一个大的浪涌电流施加于被测器件上,从而检测被测器件是否能承受大浪涌电流的冲击。
    
    
    
    华科智源浪涌电流试验仪的测试方法符合JB/T7626-2013中的相关标准。浪涌电流试验台,是二极管等相关半导体器件测试的重要检测设备,该设备具有如下特点:
    
    1、该试验台是一套大电流、高电压的测试设备,对设备的电气性能要求高。
    
    2、该试验台的测试控制完全采用自动控制,测试可按测试员设定的程序进行自动测试。
    
    3、该试验台采用计算机记录测试结果,并可将测试结果转化为EXCEL文件进行处理。
    
    4、该套测试设备主要由以下几个单元组成:
    
       a、浪涌测试单元
    
       b、阻断参数测试单元
    
       c、计算机控制系统
    
    二、技术条件
    2.1 环境要求:
    1、环境温度:15—40℃
    
    2、相对湿度:存放湿度不大于80%
    
    3、大气压力:86Kpa—106Kpa
    
    4、海拔高度:1000米以下
    
    5、电网电压:AC220V±10%无严重谐波
    
    6、电网频率:50Hz±1Hz
    
    7、电源功率:小于1.5KW
    
    8、供电电网功率因数:>0.9
    
    2.2主要技术指标:
    1、浪涌电流(ITSM/IFSM)测试范围:30~1200A;选配3000A,8000A,20kA,50kA等
    
    2、浪涌电流(ITSM/IFSM)精度要求:显示分辨率1A精度±3%
    
      浪涌电流(ITSM/IFSM)波形:近似正弦半波;
    
    3、浪涌电流底宽:8.3和10ms;选配1ms,10us等
    
    4、测试频率:单次;重复
    
    5、反向电压(VRRM)测试范围:200~2000V;
    
    6、反向电压(VRRM)显示分辨率10V,精度±3%;
    
    7、反向电压频率:DC直流
    
    8、各种模块均手动连接,并以单管形式测试。
    
    9、采用计算机控制、采样及显示;
    


    欢迎来到深圳市华科智源科技有限公司网站,我公司位于经济发达,交通发达,人口密集的中国经济中心城市—深圳。 具体地址是广东深圳宝安区公司街道地址,联系人是陈少龙。
    主要经营华科智源HUSTEC-1200A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试,还可以测量大功率二极管 、IGBT模块,大功率 IGBT、大功率双较型晶体管,MOS管等器件的 V-I 特性测试,测试600A(可扩展至2000A),5000V以下的各种功率器件,广泛应用于轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机行业的IGBT来料选型和失效分析,。
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