二管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件 它具有单向导电性能, 即给二管阳和阴加上正向电压时,二管导通。 当给阳和阴加上反向电压时,二管截止。 因此,二管的导通和截止,则相当于开关的接通与断开 。
对于锗二管,开启电压为0.2V,导通电压UD约为0.3V。在二管加有反向电压,当电压值较小时,电流小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压**过某个值时,电流开始急剧,称之为反向击穿,称此电压为二管的反向击穿电压,用符号UBR表示。不同型号的二管的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏。
外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二管导通的正向电压称为死区电压。
当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二管正向导通,电流随电压而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二管的正向电压。
当二管两端的正向电压**过一定数值 ,内电场很快被削弱,特性电流迅速增长,二管正向导通。 叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。硅二管的正向导通压降约为0.6~0.8V,锗二管的正向导通压降约为0.2~0.3V
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