功能 •可在-60°C至+230°C温度范围之外运行。 •驱动P-和N-沟道MOSFET(VGS=5V)。 •输入到输出级的偏移电压从-30V到+35V。 •作为低端或**驱动器操作。 •PVDD域上的欠压锁定(UVLO)。 •标准施密特触发器CMOS输入。 •即插即用,可使用任何数字3.5V至5V输出。 •高达1A汇/源电流(@Tj=+230°C)。 •P沟道和N沟道MOSFET的去饱和保护。 •检测到去饱和时的软关闭功能。 •向数字控制器报告错误。 •单片设计。 •免闩锁。 •坚固耐用的陶瓷SMD和通孔封装。 •也可用作裸模。 应用 •可靠性关键,汽车、航空**、井下。 •DC/DC转换器、负载点功率转换器、开关电源、PWM控制、电机驱动、浮动或接地开关、电源开关(GaN)。