• 日本科佩尔 替代 易恩IPM测试仪

    日本科佩尔 替代 易恩IPM测试仪

  • 2022-09-27 16:06 404
  • 产品价格:188
  • 发货地址:陕西省西安市高陵区包装说明:不限
  • 产品数量:不限产品规格:不限
  • 信息编号:47603560公司编号:4207072
  • 李想 市场部项目经理
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    产品描述
    ENI1220 IPM 测试系统 
    日本科佩尔 替代 易恩IPM测试仪 
    
    	系统概述		基础配置
    	IPM,即智能功率模块,是**的混合集成功率器件。一般使用IGBT作为功率开关元件,内部集成电流传感器及驱动电路的集成结构。
    IPM模块需要测试的特性参数很多,其中较关键的测试参数为开关特性(时间特性)的测量。该系统在解决IPM的控制信号以及高速数据采集处理两个关键技术的条件下,是一套基于DSP及FPGA的高速实时测试系统。		电压	电流
    			标配	选配	标配	选配
    			1200V	1000V	200A	200A
    				2200V		400A
    				3300V		600A
    				4500V		1000A
    				6000V		2000A
    	配置/短路测试
    	电压	电流	短路测试
    	标配	选配	标配	选配	项目	范围	误差	分辨率
    	1200V	2200V	200A	400A	*	100V~1200V	±3%	10V
    		3300V		600A	测试电流	10A~7**	±3%	1A
    		4500V		1000A	短路电流	100A~500A	±3%	1A
    		6000V		2000A	短路时间	1 uS~10uS	可调	可调
    									
    	测试功能
    	测试范围	测试参数
    	IPM	BVCES, BVRRM, BVSCES, ICES, IRRM, VCE(SAT), VEC, VFBR, VDSET, VDSET-HP, ID,
    UVt, UVr, OUVt, OUVr, VCIN(ON), VCIN(OFF),
    ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L), VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN,
    OTc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, OVt, T_MEAS, V_MEAS
    	IGBT	ICES, BVCES, IGES, VF, VGEON, VTH, VTHS, ICE(SAT), VCE(SAT)
    	DIODE	VF-Temp, Temp, VF revision
    		
    	参数 / 精度
    	静态参数		动态参数
    	上桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-H)	上
    桥
    开
    关
    参
    数	集电极电压Vce:
    100~1200V,	误差±3%,分辨率10V
    	上桥IGBT/FRD耐压测试(Bvce-H)			
    	上桥驱动IC低端静态电流测试(IDH)		集电极电流Ice:
    10~7**,	误差±3%,分辨率1A
    	上桥驱动IC**静态工作电流测试
    (Iqbs-U,V,W)			
    			VD=VBS=15V,           	误差±3%,分辨率0.1V
    	上桥欠压保护监测电平 (UVbsd-U V W)		VIN=0~5V             	误差±3%,分辨率0.1V   
    	上桥欠压保护复位电平(UVbsr-U V W)		ton-L : 10~500nS,    	误差±3%,分辨率1nS
    	上桥驱动IC导通阈值电压测试
    (Vth(on)-UH VH WH)		tc(on)-L :5~200nS, 	误差±3%,分辨率1nS    
    			toff-L: 50~500nS,   	误差±3%,分辨率1nS
    	上桥驱动IC关断阈值电压测试
    (Vth(off)-UH VH WH)		tc(off)-L: 5~200nS, 	误差±3%,分辨率1nS     
    			Trr-L :10~500nS,    	误差±3%,分辨率1nS
    	上桥IGBT饱和电压测试(Vce(sat)-UH VH WH)		Eon-L :0.1~10mJ,   	误差±3%,分辨率0.1mJ  
    	上桥FRD正向压降测试(VF-(UH VH WH)		Eoff-L: 0.1~10mJ  	误差±3%,分辨率0.1mJ
    	下桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-L)	下
    桥
    开
    关
    参
    数	集电极电压Vce:
    100~1200V,	误差±3%,分辨率10V
    	下桥驱动IC静态工作电流测试(IDL)			
    	故障输出电压测试(Vfoh Vfol)		集电极电流Ice:
    10~7**,	误差±3%,分辨率1A
    	过流保护阈值电压测试(Vcin(ref))			
    	下桥欠压保护监测电平(UVdd)		VD=VBS=15V,           	误差±3%,分辨率0.1V
    	下桥欠压保护复位电平(UVdr)		VIN=0~5V             	误差±3%,分辨率0.1V   
    	下桥驱动IC导通阈值电压
    (Vth(on)-UL VL WL)		ton-L : 10~500nS,    	误差±3%,分辨率1nS
    			tc(on)-L :5~200nS, 	误差±3%,分辨率1nS    
    	下桥驱动IC关断阈值电压
    (Vth(off)-UL VL WL)		toff-L: 50~500nS,   	误差±3%,分辨率1nS
    			tc(off)-L: 5~200nS, 	误差±3%,分辨率1nS     
    	下桥IGBT饱和电压测试(Vce(sat)-UL VL WL)		Trr-L :10~500nS,    	误差±3%,分辨率1nS
    	下桥FRD正向压降测试(VF-(UL VL WL) 		Eon-L :0.1~10mJ,   	误差±3%,分辨率0.1mJ  
    			Eoff-L: 0.1~10mJ  	误差±3%,分辨率0.1mJ

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        完善的基础设施和良好的人才队伍一直是企业强化建设的**。公司设有测试实验室,调试中心,产品研发中心,服务团队等多个技研服务部门,以满足不同客户对测试解决方案的多层次需求。公司研发人员占总人数的40%,硕士*以上人员占75%,**技术人员占比**过66%,成员大多来自**、航空、半导体及微电子相关研究院所及电力电子行业内的*人士。公司通过了质量体系ISO9000认证及陕西省软件企业认定,承担地区科技部**基金项目等,目前获得发明**4项,实用新型**15项,软件着作权3项。

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